Исследователи Института ядерной физики им. Г.И. Будкера (ИЯФ СО РАН) и Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) провели серию экспериментов с германиевыми полупроводниками на лазере на свободных электронах (ЛСЭ) Сибирского центра синхротронного и терагерцового излучения. Им удалось выяснить, что после возбуждения атомов примеси такие полупроводники релаксируют быстрее, чем считалось раньше. Об этом сообщает сайт ИЯФ СО РАН.
Для проведения этой серии экспериментов сотрудники ИФМ РАН и ИЯФ СО РАН создали новую пользовательскую станцию «Накачка-зондирование» на ЛСЭ. Станция позволяет исследовать поведение разных образцов вещества после возбуждения при их охлаждении вплоть до температуры жидкого гелия. «Вы делите луч лазера на две части, одним вы возбуждаете вещество, а другой через оптическую линию задержки освещает этот же образец в том же месте», — пояснил доктор физико-математических наук Борис Александрович Князев, главный научный сотрудник ИЯФ СО РАН и профессор НГУ.
В ходе экспериментов ученые выявили интересную закономерность. «Согласно теории каскадной релаксации, чем выше вы забрасываете электрон, тем дольше потом он опускается вниз по квантовым уровням. Но эксперимент показывает обратное — чем выше мы его подбрасываем, тем быстрее он возвращается», – рассказал кандидат физико-математических наук Роман Жукавин, научный сотрудник ИФМ РАН. Теперь физикам-теоретикам предстоит объяснить обнаруженные эффекты.
