24 сентября 2016 года отметил свой юбилей Председатель Сибирского отделения РАН, вице-президент РАН, доктор физико-математических наук, академик Александр Леонидович Асеев. Он известен как член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, в течение многих лет возглавлял Институт физики полупроводников СО РАН.
Александр Асеев — выпускник Новосибирского государственного университета 1968 года, специализируется в области физики полупроводников, защитил кандидатскую (1975) и докторскую (1990) диссертации, исследовав структуру и технические свойства кристаллов кремния и германия.
Под его непосредственным руководством в СО РАН был построен уникальный комплекс по получению и диагностике полупроводниковых систем. На базе Института на сегодняшний день исследованы резонансные явления в наноструктурах с двумерным электронным газом в ходе процесса так называемого квантового транспорта носителей заряда, проведены передовые в этой области работы по установлению физических свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и описаны механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в полупроводниках.
Александр Леонидович ведет поиск методов создания нанотранзисторов ¾ устройств, которые могут обеспечить работу новых типов электронной памяти, элементов силовой электроники и использования солнечной энергии. Им и его коллегами была разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии ¾ процесса, позволяющего получить фоточувствительные слои кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых наноструктур для новых инфракрасных фотоприемных устройств.
Асеев — автор более 200 научных работ, в том числе 2 монографий и 9 патентов.
Александр Леонидович известен также как наиболее последовательный критик текущей реформы Российской академии наук. Читайте на портале Научная Россия резюме его статьи о промежуточных результатах реформирования РАН и тех трудностях, с которыми пришлось столкнуться в ее ходе российским ученым.
