3 июля 2018 г. в ФИАН будет представлен научный доклад проф. В.Т. Петрашова (Physics Department, Royal Holloway, University of London)
Гибридные металлические наноструктуры: физика и технология
(Металлическая Наноэлектроника)
Доклад состоит из двух частей. В первой части дается краткий обзор возникновения и развития в Академии Наук СССР-России исследований в области приборов с нанометровыми размерами во всех трех измерениях и сотрудничества с Великобританией в этой области. Во второй части обсуждаются результаты конкретных экспериментальных исследований простых, состоящих из одного металла, и гибридных наноструктур, включающих элементы с резко отличающимися электронными свойствами. В России такие исследования велись с начала 1980х годов в Лаборатории Квантовой Электронной Кинетики Института Проблем Технологии Микроэлектроники в Черноголовке. Среди достижений лаборатории – исследования сверхтонких металлических структур, за исследование которых выходцы из лаборатории были удостоены Нобелевской премии в 2010 году. В гибридных наноструктурах с нормальными и сверхпроводящими элементами были обнаружены фазочувствительные аномальные эффекты близости, что привело к созданию квантовых интерферометров с помощью которых удалось разрешить «парадокс», связанный с термоэлектрическим эффектами в сверхпроводниках. Гибридные интерферометры начинают использоваться в новейших системах магнитной энцефалографии. Еще одно интересное явление, новый тип триплетной сверхпроводимости, предсказанный теоретически было экспериментально обнаружено в неоднородных ферромагнетиках в контакте со сверхпроводниками.
Визит и научный доклад
проф. В.Т. Петрашова организован при
поддержке Научно-инновационной сети Великобритании в России (UK Science and Innovation Network in Russia) |
Время проведения: 3 Июля 2018 г. (вторник), 11:00
Место проведения: ФИАН, главное здание, конференц-зал Отделения теоретической физики ФИАН
Внимание! Для прохода на территорию ФИАН необходим пропуск.
Для оформления пропуска обращайтесь к руководителю научного семинара:
Арсеев Петр Иварович
Тел.: (499) 132-62-71
E-mail: ars@lpi.ru