В «Сириусе» прошел форум «Микроэлектроника 2023», на котором ФИАН в этом году был представлен не только научными докладами, но и собственным стендом на выставке.
Российский форум «Микроэлектроника» – ключевое информационное событие года в мире электронных технологий. По словам организаторов, цель форума – рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы, а также содействовать развитию отечественной микроэлектроники.
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН на прошедшем форуме был представлен научными докладами ведущего научного сотрудника, доктора физ.-мат. наук А.Ю. Кунцевича «Получение пленок аморфного оксида ванадия методом электронно-лучевого испарения» и аспирантов ФИАН А.А. Галиуллина «Лабораторная масочная и проекционная литография для прототипирования мини-устройств» и М.В. Пугачева «Создание гомоструктур слоистых материалов на основе топологических изоляторов и их транспортные свойства». Кроме того, доктор физ.-мат. наук и заведующий отделом «Твердотельная фотоника» В.С. Кривобок выступил с докладом «Барьерно-диодные гетероструктуры на основе соединений А3В5, содержащих сурьму для ИК-фотосенсорики».
В этом году впервые на «Микроэлектронике» ФИАН продемонстрировал свои разработки и на выставочной площадке форума. Были представлены лабораторная установка для сборки Ван-дер-Ваальсовых гетероструктур и микрофотолитографии, а также настольный проекционный литограф. Эти компактные технологические установки позволяют выполнять лабораторное прототипирование структур из двумерных материалов и не имеют аналогов на отечественном рынке.
Информация и фото предоставлены отделом по связям с общественностью ФИАН
Источник фото: ФИАН
